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成功在石墨烯/SiC襯底上實現了應變弛豫GaN薄膜的外延生長，并發現了其在長波長LED中的應用潛力。研究發現，石墨烯的插入極大地降低了GaN薄膜中的雙軸應力，有效提高了InGaN阱層中In原子并入，使量子阱發光波長顯著紅移。該成果有助于推動高性能、長波長氮化物發光器件發展。相關結果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”為題發表在國際頂尖學術期刊《Light: Science & Applications》。